原子层沉积（ALD）技术是一种先进的在原子尺度可控的薄膜气相沉积技术，能够精确地逐层控制薄膜生长过程。近年来，利用ALD技术对电极材料进行表面修饰逐渐成为锂离子电池领域的研究热点，并引起了工业界的广泛重视。
       在潘锋教授和王新炜特聘研究员的指导下，依托学院原子层沉积实验室，博士后苏彦涛与学院研究生以及美国劳伦斯伯克利国家实验室软X-射线站杨万里研究组积极合作，利用ALD技术沉积氧化铝（Al₂O₃）薄膜，对三元正极材料（LiNi_0.5Mn_0.3Co_0.2O₂）进行表面修饰，提高了材料在高截止电压（4.5 V）下的循环稳定性。结合X射线光电子能谱（XPS）、X射线吸收谱（XAS）、透射电子显微镜（TEM）以及电化学测试分析，揭示了材料循环稳定性提高的机理。
        该研究成果发表在ACS旗下的ACS Applied Materials and Interfaces （DOI:10.1021/acsami.5b05500 ）杂志上（影响因子6.723）。

 


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文章链接： Yantao Su, Suihan Cui, Zengqing Zhuo, Wanli Yang, Xinwei Wang*, and Feng Pan*. “Enhancing the High-Voltage Cycling Performance of LiNi_0.5Mn_0.3Co_0.2O₂ by Retarding Its Interfacial Reaction with an Electrolyte by Atomic-Layer-Deposited Al₂O₃”, ACS Appl. Mater. Interfaces, Article ASAP (2015). DOI: 10.1021/acsami.5b05500.